服務(wù)熱線
134 8080 7445
一，功率循環(huán)GK-PC-3000
主要特點
*兼容熱阻測試、秒級功率循環(huán)和分鐘級功率循環(huán)試驗;
*適用于IGBT和SiC MOSFET試驗;
*配置3個通道，每個通道可獨立設(shè)置Ton和Toff時間;
*在預(yù)啟動模式下，可方便檢查線纜連接情況;
*在MOSFET模式下，可設(shè)置柵極電壓延遲關(guān)斷時間;
*對到器件端的大電流連接線有降溫措施，防止線纜與產(chǎn)
*品的接觸點溫度過高而損壞器件;
*多重保護(hù)措施，讓試驗安全無憂;
主要技術(shù)指標(biāo)
設(shè)備結(jié)構(gòu)：
功率循環(huán)設(shè)備電源部分的設(shè)計采用了3通道的架構(gòu)，可以同時并行輸出3路加熱電流。當(dāng)設(shè)備工作在3通道模式下，可以同時輸出3路最大為1000A的加熱電流（加熱電流可根據(jù)實際產(chǎn)品選擇），等效于3個獨立的1000A的電流源，可以對最多為3*4=12個的IGBT器件同時進(jìn)行功率循環(huán)試驗或熱阻測試。
加熱電流能力：
* 0~3000A電流驅(qū)動能力（根據(jù)實際產(chǎn)品選擇），500mA分辯率，精度 0.1% Set±0.3% range;
* 可以在3通道模式下工作，等效于3個獨立的1000A電流源（電源品牌：TDK-Lambda）；
* 最小脈沖寬度為500ms，50ms脈沖開啟時間，50us脈沖關(guān)閉時間；
* 支持0~12V Vce器件導(dǎo)通電壓；
測試電流能力：
* 0~3A電流測試能力，0.5mA分辯率，精度0.5% Set±0.125% range；
* 可以在3通道下模式使用，等于3個獨立的1A恒流源；
* 支持0~12V Vce器件導(dǎo)通電壓；
柵極電壓源：
* 電壓范圍：-10V~+20V；
* 分辨率：0.1V，精度0.5% Set±0.25 range；
柵極電流測量能力：
* 測量范圍：500pA~100uA；
* 分辨率：50pA的分辨率；
數(shù)據(jù)采集能力：
* 具有3個測試通道用來采集功率循環(huán)試驗和熱阻測試的數(shù)據(jù)；
* 每個測試通道具有±12V的電壓輸入范圍；
* 每個測試通道具有最高10uV的電壓分辨率，對應(yīng)測量結(jié)溫的精度是0.01℃；
* 每個測試通道電壓信號的采樣時間是1us；
AQG324相試驗標(biāo)準(zhǔn)（PCs）
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AQG324相關(guān)試驗標(biāo)準(zhǔn)（PCm）
試驗線路（IGBT與MOS）
實測波形（SiC Mosfet 模塊試驗)
實測波形（SiC Mosfet 模塊試驗)
功率循環(huán)實測案例
1. IGBT功率循環(huán)測試：
試驗機臺：GK-PC-3000A
Control Strategy：恒電流模式
測試模塊型號：APHS500F08I1-UNIT
測試條件：Vge=15V，Im=100mA，Ton=2s，Toff=3s， △Tj=100℃，Tjmax=150℃，IH=655A;
K-Factor：k=-2.374mV/℃ VF@0℃=558.51mV；
功率循環(huán)實測案例（狀態(tài)參數(shù)監(jiān)控）
熱阻實測案例
1. IGBT熱阻測試
試驗機臺：GK-PC-3000A
測試模塊型號：APHS500F08I1-UNIT
測試條件：Vge=15V，Im=100mA，Ton=30s，Toff=30s，IH=400A;
K-Factor：k=-2.374mV/℃ VF@0℃=558.51mV；
2. SiC Mosfet熱阻測試
試驗機臺：GK-PC-3000A
測試模塊型號：BMS600R12HWC4
測試條件：Vgs-on=15V，Vgs-off=-4V，Im=-100mA，Ton=30s，Toff=30s，IH=300A;
K-Factor：k=-4.178mV/℃ VF@0℃=2304mV；
功率循環(huán)老化模式
1. 恒電流模式（Const.Cycling Current）
2. 恒結(jié)溫差模式（Const.Deltate Tj）
功率循環(huán)其他實測案例（其他模塊上機測試圖）
二，電學(xué)法測試熱阻
研究背景與意義
• 熱阻是反映SiC功率模塊熱可靠性重要的參考之一，指的是SiC功率模塊阻礙熱量散失的能力。對于不同模塊
而言，相同負(fù)載下，熱阻的大小會影響模塊結(jié)溫的高低。正常工作時，結(jié)溫越低，熱阻越小，則 SiC功率模塊
的散熱性能越好。
• 如何更有效地測量得到熱阻便成了評估模塊散熱性能與優(yōu)化模塊熱結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵。
因此需要進(jìn)行軟件自主設(shè)計！
瞬態(tài)雙界面法
測量步驟如下：
1） 第一次測量時，將模塊直接接觸散熱器，施加階躍功率，
記錄結(jié)溫變化情況，得到熱阻抗曲線。
2） 在器件和散熱器之間涂一層很薄的導(dǎo)熱硅脂，施加階躍功
率，再次記錄結(jié)溫變化情況，得到熱阻抗曲線。
3） 由于導(dǎo)熱路徑的差異只有在殼到散熱器接觸面，因此兩種
測試條件下，結(jié)到殼的熱阻抗曲線重合，在導(dǎo)熱硅脂處發(fā)生分
離。分離點的熱阻抗即為器件的熱阻抗。
熱阻抗曲線
時間常數(shù)譜
時間常數(shù)譜
對熱阻抗曲線進(jìn)行求導(dǎo)，得到阻抗導(dǎo)數(shù)曲線。需要對其進(jìn)行濾波，使用matlab自帶的smooth函數(shù)
（五點均值濾波），濾波次數(shù)（n）對比如下：
貝葉斯反卷積與Foster模型
對阻抗導(dǎo)數(shù)曲線進(jìn)行貝葉斯反卷積，得到時間常數(shù)譜：
模型轉(zhuǎn)化
與T3ster Master軟件結(jié)果比對
效果展示（藍(lán)色為測試結(jié)果，橙色為T3ster Master結(jié)果）
圖像意義
如需完整產(chǎn)品資料以及報價，請聯(lián)系：134 8080 7445（廖生）
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