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SigOFIT 光隔離探頭
基于獨(dú)家SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭，擁有極高的共模抑制比和隔離電壓，在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號(hào)的全部真相，是判定其他 電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的終極裁判。此外，SigOFIT光隔離探頭采用先進(jìn)的激光供電技術(shù)，完美解決了隔離供電的問題。
帶寬：DC-1GHz ；共模電壓：85kVpk；直流增益精度：1% ；共模抑制比：高達(dá)180dB
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帶寬：DC-1GHz ；共模電壓：85kVpk；直流增益精度：1% ；共模抑制比：高達(dá)180dB
最真實(shí)的信號(hào)呈現(xiàn)
SigOFIT光隔離探頭具有極高的共模抑制比，在100MHz時(shí)CMRR高達(dá)128dB、在1GHz時(shí)CMRR仍然高達(dá)108dB，是判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的終極裁判。
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第三代半導(dǎo)體的最佳測(cè)試手段
極高的測(cè)試精度與穩(wěn)定性
作為判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的終極裁判，測(cè)試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標(biāo)。SigOFIT光隔離探頭，具有極佳的幅頻特性，直流增益精度優(yōu)于1%，底噪小于0.45mVrms，預(yù)熱5min后零點(diǎn)漂移小于0.1%，增益漂移小于1%。
第三代半導(dǎo)體的最佳測(cè)試手段
第三代半導(dǎo)體器件由于導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間很短，信號(hào)具有更快的上升沿和下降沿，信號(hào)中具有很高能量的高頻諧波，SigOFIT光隔離探頭在最高帶寬時(shí)，仍然具有超100dB的共模抑制比，可以近乎完美地抑制高頻共模噪聲所產(chǎn)生的震蕩，所呈現(xiàn)的信號(hào)沒有額外多余成分，是第三代半導(dǎo)體測(cè)試的不二之選。
測(cè)試氮化鎵（GaN）不炸管
SigOFIT光隔離探頭測(cè)試引線短且采用同軸傳輸，探頭輸入電容小于2.5pF，測(cè)試氮化鎵（GaN）十分安全。
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使用靈活
SigOFIT光隔離探頭比傳統(tǒng)高壓差分探頭體積更小，探頭引線更精巧，使用更加靈活方便。
測(cè)試量程更寬
不同于高壓差分探頭只可以測(cè)試高壓信號(hào)，SigOFIT光隔離探頭通過匹配不同的衰減器，可以測(cè)試±0.1V至±5000V的差模信號(hào)，并實(shí)現(xiàn)滿量程輸出，達(dá)到很高的信噪比。
高效便捷
SigOFIT光隔離探頭響應(yīng)快，上電即測(cè)，校準(zhǔn)時(shí)間小于1秒，可實(shí)時(shí)保證精確的信號(hào)輸出。
應(yīng)用場(chǎng)景
對(duì)其他電壓探頭所測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確性、真實(shí)性存在質(zhì)疑時(shí)，SigOFIT光隔離探頭可作為最終裁判依據(jù)。
電源設(shè)備評(píng)估、電流并聯(lián)測(cè)量、EMI 和 ESD 故障排除
電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì) 、電子鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)
氮化鎵、碳化硅、IGBT半/全橋設(shè)備的設(shè)計(jì)與分析
高壓高帶寬測(cè)試應(yīng)用的安全隔離測(cè)試
逆變器、UPS及開關(guān)電源的測(cè)試
寬電壓、寬帶測(cè)試應(yīng)用
各種浮地測(cè)試等等
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